Hjem - Kunnskap - Detaljer

Krever utskifting av energiutstyrsdioder rekonfigurering av BMS?

1, Funksjonell posisjonering og feilpåvirkning av dioder i energisystemer
(1) Kjernefunksjon: Fra grunnleggende beskyttelse til systemnivåkontroll
Beskyttelse mot omvendt polaritet: I et DC-system forhindrer dioder at polariteten til strømforsyningen reverseres av deres ensrettede ledningsegenskaper, og unngår dermed utstyrsutbrenthet på grunn av omvendt strøm. For eksempel fikk et UPS-prosjekt i et datasenter direkte skade på likerettermodulen under feildrift på grunn av en kortslutning i antireversdioden, noe som resulterte i et tap på over 500 000 yuan.
Energioverføringskontroll: I fotovoltaiske omformere og motordrivere danner dioder likeretterbroer eller frihjulskretser for å sikre ensrettet energiflyt. En test av et vindkraftomformerprosjekt viste at etter en diodekortslutning steg overgangstemperaturen til tilstøtende kraftenheter fra 85 grader til 200 grader i løpet av 2 sekunder, noe som førte til at kjeden løp.
Spenningsklemme og overspenningsbeskyttelse: TVS-dioder begrenser transient overspenning gjennom skredbruddskarakteristikk for å beskytte nedstrømskretsen. På grunn av en TVS-diodekortslutning i et bestemt fotovoltaisk array-prosjekt, steg utgangsspenningen til komponentene til 1000V (klassifisert 600V), noe som forårsaket stor-omformerfeil.
(2) Feilmoduser og konsekvenser på systemnivå
Kortslutningsfeil: forårsaker en endring i strømbanen, noe som resulterer i lokal overoppheting eller svikt i beskyttelsesmekanismer. For eksempel, i et bestemt elektrisk kjøretøyomformerprosjekt, på grunn av en kortslutning i frihjulsdioden, ble den bakre elektromotoriske kraften til motoren direkte påført kraftenheten, noe som fikk IGBT-modulen til å eksplodere innen 100 μs.
Åpen kretsfeil: forårsaker avbrudd i energioverføring eller tap av beskyttelsesfunksjon. Et visst prosjekt for balanseringskrets for energilagringsbatteri forårsaket overbelastning og utbrenning av andre dioder på grunn av en åpen krets av en diode, noe som resulterte i overlading av batteripakken.
Parameterdrift: Etter lang-drift kan endringer i parametere som foroverspenningsfall og reverseringstid for dioder påvirke spenningssamplingsnøyaktigheten til BMS. For eksempel opplevde et fotovoltaisk omformerprosjekt en spenningssamplingsfeil på 5 % på grunn av diodealdring, noe som utløste en falsk beskyttelsesstans.
2, Koblingsforholdet mellom BMS-konfigurasjon og diodeparametere
(1) Parametertilpasning på maskinvarenivå
Spenningsovervåkingsområde: Spenningssamplingskretsen til BMS må dekke diodeledningsspenningsfallet (som Schottky-diode ca. 0,3V, SiC-diode ca. 0,7V). Hvis den erstattes med en diode med større spenningsfall (som en vanlig silisiumdiode på ca. 1,2V), kan det føre til at BMS-en feilbedømmer at batterispenningen er for lav.
Strømovervåkingsnøyaktighet: Foroverspenningsfallet til dioden er lineært relatert til strømmen (Vf=Ir+V0). Hvis den erstattes med dioder med forskjellige interne motstander, kan strømverdien beregnet av BMS gjennom spenningsfallmetoden avvike med mer enn 10 %, noe som påvirker innstillingen for overstrømbeskyttelsesterskel.
Temperaturkompensasjonskoeffisient: Foroverspenningsfallet til dioden varierer med temperaturen (typisk verdi -2mV/ grad). Hvis BMS ikke er kalibrert for temperaturkoeffisienten til den nye dioden, kan det resultere i falske høyspenningsprøveverdier i lavtemperaturmiljøer, og utløse overladingsbeskyttelse.
(2) Algoritmetilpasning på programvarenivå
SOC-estimeringsmodell: Amperetime-integrasjonsmetoden må kombineres med diodespenningsfall for å korrigere gjeldende verdi. Hvis modellparametrene ikke oppdateres etter utskifting av dioden, kan SOC-estimeringsfeilen utvides fra ± 3 % til ± 8 %.
Balansert kontrollstrategi: Energioverføringseffektiviteten til aktive balanseringskretser (som kapasitive og induktive) er relatert til ledningstapet til dioder. Hvis den erstattes med en diode med høyt ledningsspenningsfall, kan balanseringstiden forlenges med mer enn 30 %.
Feildiagnoseterskel: Overspennings-/underspenningsbeskyttelsesterskelen til BMS må tilbakestilles i henhold til diodens klemspenning. For eksempel var klemspenningen til den originale TVS-dioden 36V. Etter å ha erstattet den med en 30V-modell, må beskyttelsesterskelen senkes fra 38V til 32V.
3, Bransjepraksis og tekniske spesifikasjonskrav
(1) Klare krav i standardspesifikasjoner
IEC 62660-2: Etter å ha erstattet nøkkelkomponenter i litiumbatterisystemer, er det nødvendig å verifisere spenningsovervåkingsnøyaktigheten (feil mindre enn eller lik ± 1%), strømovervåkingsnøyaktighet (feil mindre enn eller lik ± 2%) og beskyttelsesresponstid (mindre enn eller lik 10ms) til BMS.
UL 2580: Krever at BMS gjennomgår funksjonssikkerhetstesting etter komponentutskifting, inkludert pålitelighetsverifisering av overladings-/overutladingsbeskyttelse, kortslutningsbeskyttelse og termisk løpsadvarsel.
GB/T 34013: Det er spesifisert at prøvetakingskretsen til BMS må rekalibreres etter vedlikehold av batterisystemet for å sikre at avviket mellom spennings- og temperaturdata og faktiske verdier er mindre enn eller lik ± 0,5 %.
(2) Sammendrag av erfaringer fra typiske tilfeller
Et visst fotovoltaisk kraftverksprosjekt: På grunn av manglende justering av overspenningsbeskyttelsesterskelen til BMS etter utskifting av TVS-dioden, overskred komponentene spenningsgrensen under lynnedslag og utløste ikke beskyttelse, noe som resulterte i brann og tap på over 2 millioner yuan.
Et visst elbilprosjekt: Under vedlikehold ble en frihjulsdiode med høyere ledningsspenningsfall skiftet ut, men BMS-strømberegningsmodellen ble ikke oppdatert, noe som resulterte i en falsk økning på 15 % i rekkeviddevisningen, noe som førte til brukerklager.
Et visst energilagringssystemprosjekt: Etter å ha byttet ut antireversdioden, ble ikke polaritetsdeteksjonsfunksjonen til BMS testet på nytt, noe som resulterte i at utstyret ikke kuttet kretsen under omvendt tilkobling og brente ut likerettermodulen.
4, Beslutningsramme: Trenger vi å rekonfigurere BMS?
(1) Scenarier som krever omkonfigurering
Parameter changes exceeding threshold: The forward voltage drop, reverse recovery time, leakage current and other parameters of the diode change beyond the BMS design tolerance (such as voltage drop changes>0.5V).
Funksjonell posisjonsendring: Den originale dioden ble bare brukt til anti-reversering, og etter utskifting må den overta funksjonen kontinuerlig strøm eller retting.
Topologijustering: Utskifting av dioder fører til endringer i kretstopologien (som for eksempel bytte fra brolikeretting til synkron likeretting).
Standard samsvarskrav: Prosjektet må bestå spesifikke sertifiseringer (som UL, CE), og sertifiseringsorganet krever revalidering av BMS-funksjonalitet.
(2) Scenarier som er unntatt fra rekonfigurering
Samme modellbytte: Bytt ut med dioder med samme batch og parametere, og BMS har reservert redundant design.
Innenfor parametertoleranse: Variasjonen av diodeparametere er innenfor BMS-designtoleranseområdet (som f.eks. spenningsfallvariasjon<0.2V).
Utskifting av kun reparasjon: Diodefeilen skyldes dårlig lodding eller ødelagte ledninger, og innebærer ikke endringer i komponentparametere.
5, Driftsforslag: Hvordan fullføre BMS-rekonfigurering effektivt?
(1) Maskinvarekalibreringstrinn
Kalibrering av spenningsprøvetaking: Bruk et multimeter med høy-presisjon (nøyaktighet Større enn eller lik 0,05 %) for å måle diodeledningsspenningsfallet og oppdatere kompensasjonsverdien til BMS-samplingskretsen.
Kalibrering av strømprøvetaking: Injiser en kjent strøm gjennom en standard strømkilde (nøyaktighet Større enn eller lik 0,1%) og juster spenningsfallstrømkonverteringskoeffisienten til BMS.
Kalibrering av temperaturprøvetaking: Plasser dioden i et kammer med konstant temperatur (temperaturområde -40 grader ~+85 grader ) for å bekrefte avviket mellom BMS-temperaturprøveverdien og den faktiske verdien.
(2) Oppdatering av programvareparameter
SOC-modellkorreksjon: Juster den innledende SOC-verdien og Coulomb-effektivitetskoeffisienten for amperetime-integrasjonsmetoden basert på spenningsfallkarakteristikkene til den nye dioden.
Optimalisering av balansestrategi: Ved utskifting med en aktiv balanseringsdiode, må energioverføringsterskelen og balansetiden tilbakestilles.
Justering av beskyttelsesterskel: Oppdater beskyttelsesterskler for overspenning/underspenning og overstrøm basert på parametere som klemspenning og ledningstap for dioden.
(3) Verifikasjon av funksjonstesting
Statisk testing: Kontroller om samplingsnøyaktigheten til BMS spenning, strøm og temperatur oppfyller standardkravene.
Dynamisk testing: Simuler feilscenarier som overlading, overutlading og kortslutninger for å teste beskyttelsesresponstiden og driftssikkerheten til BMS.
Miljøtesting: Verifiser stabiliteten til BMS i miljøer med høy temperatur (85 grader), lav temperatur (-40 grader) og høy luftfuktighet (90 % RF).
 

Sende bookingforespørsel

Du kommer kanskje også til å like