Kunnskap

一, den underliggende logikken for innenlandsk substitusjon: Dual Drive of Technological Iteration and Market Pressure 1. Gapet i høy - Sluttproduksjonskapasitet har ansporet etterspørsel etter erstatn

Hvordan påvirker miniatyriseringen av kommunikasjonsutstyr diodevalget?

1, Høyfrekvens etterspørsel: 5G og millimeter bølgekommunikasjon Drive Innovasjon i RF -dioder på bakgrunn av 5G basestasjonstetthet når 10 per kvadratkilometer og millimeter bølgekommunikasjonsfrekve

1, Material Revolution: omforming av ytelsesgrensen for brede bandgap -halvledere tradisjonelle silisium - baserte dioder er begrenset av materialegenskaper og opplever betydelig ytelsesnedbrytning i

一, ytelseskrav for dioder i millimeter bølgekommunikasjon den høye - frekvensegenskapene til millimeterbølgefrekvensbånd (bølgelengde 1-10mm) pålegger strenge krav til dioder: lave parasittiske parame

1, høy frekvens og høy - hastighet: Enhetsinnovasjon som bryter gjennom fysiske grenser 6G Terahertz Communication (0.1-10 THz) presenterer enestående ytelseskrav for dioder. Tradisjonelle Schottky -d

一 Det tekniske prinsippet og kjerneverdien av diodeforspenningskontroll 1. Temperaturkompensasjonsmekanisme: Å løse problemet med termisk forvrengning Når en effektforsterker er i drift, kan en økning

一, Teknisk prinsipp: Fra komponentkarakteristikker til systemnivåbeskyttelse 1. Beskyttelsesmekanisme for dioder TV -er forbigående undertrykkelse Diode oppnår nanosekundnivårespons gjennom snøskred n

1, Typiske risikoscenarier for kommunikasjonsgrensesnitt De destruktive effektene av elektrostatisk utladning (ESD) som tar USB 2.0 -grensesnittet som et eksempel, kan den varme byttbare funksjonen ge

一, Karakteristikker av dioder: Det fysiske grunnlaget for å begrense kretsløp Den ensrettede ledningsevnen til dioder stammer fra bærerfordelingsegenskapene til PN -kryss. Når den fremre skjevhetsspen

一, Beskyttelsesoppsettstrategi for TVS -dioder 1. Forhåndsposisjonering av beskyttelsesnoder TVS -dioder må distribueres ved signalinngangen for å danne den første beskyttelsesbarrieren. Når du tar RS

Hvordan legge inn dioder i hybrid integrerte kommunikasjonskretser?