Kunnskap

一, Grunnleggende elektriske parametere: Bestem den grunnleggende ytelsen til enheten 1. Positiv spenningsfall (VF) Forward Spenningsfall er spenningsforskjellen mellom anoden og katoden når en diode u

一, kartleggingsforholdet mellom de kjernetekniske parametrene for høy - frekvensdioder og kommunikasjonsscenarier 1. Omvendt utvinningstid (TRR): "Hastighetsgrensen" for høy - frekvens bytter fast byt

1, fører oppvarmingsmekanismen til dioder i kommunikasjonsscenarier. Spesialiteten i kommunikasjonskretser fører til tre hovedegenskaper ved diodeoppvarming: høy - Frequency Switching Tap, omvendt utv

一, den fysiske essensen av fremoverspenningsfallet og det spesielle av kommunikasjonsscenarier, skyldes den fremre spenningsfallet til en diode for svekkelsesprosessen til det bygget - i elektrisk fel

一, Diodes -kjernen i kommunikasjonsutstyr Det er forskjellige typer dioder i kommunikasjonsutstyr, inkludert høy - Frequency Switching Diodes (for eksempel 1N4148), Schottky Barrier Diodes (brukt for

1, Tekniske gener: Tre kjernefordeler med metall halvleder veikrysser kjernekonkurransen til Schottky -dioder ligger i deres innovative fysiske struktur. I motsetning til tradisjonelle PN -veikryssdio

1, kretsbeskyttelsessvikt: dobbel trussel om omvendt spenning og overstrøms påvirkningsinduktive belastninger (for eksempel reléspoler og induktorer) og kapasitive belastninger (for eksempel filtrerin

Hvordan påvirker diodeskader driften av kommunikasjonsutstyr?

1, den fysiske mekanismen for elektromagnetisk interferens og sårbarheten til dioder omvendt utvinningsprosess av dioder i høy - Frequency Switching Power Supplies er en av hovedkildene til interferen

一, Core Testing Framework: Tredimensjonal konstruksjon av pålitelighet Pyramid Rettighetstestingen av dioder i kommunikasjonsindustrien har dannet en tre - Dimensjonal evalueringssystem for "Performan

1, Material Revolution: omforming av ytelsesgrensen til brede båndgap -halvledere tradisjonelle silisium - baserte dioder er begrenset av materialegenskaper og utviser betydelig ytelsesnedbrytning i h

1, Lagvis arkitektur for kommunikasjonsindustrikjede og grunnleggende posisjonering av dioder Kommunikasjonsindustrikjeden kan deles inn i tre nivåer: oppstrøms komponenter og materialer, produksjon a