Beskrivelse
Power MOSFET 10N60,10N60 DATABLAD:
Egenskaper
Lav RDS (på)
Lav portlading (typ. Qg=31.4 nC)
100 % UIS-testet
RoHS-kompatibel
applikasjoner
Effektfaktorkorrigering.
Strømforsyninger med byttet modus.
LED-driver.
Absolutte maksimale rangeringer
10N60 MOSFET: Krafttransistorer med høy ytelse
10N60 MOSFET er en krafttransistor med høy ytelse som er produsert ved hjelp av avansert planar VDMOS-teknologi. Dette resulterer i en enhet som tilbyr lav ledningsmotstand, overlegen bytteytelse og høy skredenergi.
En av hovedtrekkene til denne MOSFET er dens lave RDS(on), som bidrar til å sikre effektiv kraftoverføring ved å minimere strømtap. I tillegg har den lav portlading (typisk Qg=31.4 nC), noe som betyr at den enkelt kan kontrolleres ved hjelp av et lavspentsignal.
For å sikre optimal ytelse og pålitelighet er hver 10N60 MOSFET 100 % testet for UIS (Unclamped Inductive Switching) for å sikre at den trygt tåler høyspenningstransienter og beskytter mot skade fra uventede spenningsspiker.
10N60 MOSFET er RoHS-kompatibel, noe som betyr at den er fri for farlige materialer og oppfyller miljøstandardene satt av EU.
Totalt sett er 10N60 MOSFET et utmerket valg for et bredt spekter av høyeffektapplikasjoner, som strømforsyninger, motorkontroll, høyfrekvente omformere og andre industrielle applikasjoner. Med sin overlegne ytelse og pålitelighet vil denne MOSFET garantert hjelpe deg med å oppnå optimale resultater i dine kraftelektronikkprosjekter.
FRQ:
Spørsmål: Hvor lang er leveringstiden din?
A: Den generelle leveringstiden er 1-3 uker etter at du har mottatt bestillingsbekreftelsen. Anther, hvis vi har varene på lager, tar det bare 1-2 dager.
Spørsmål: Gir du prøve? Er det gratis?
Sv: Hvis prøven har lav verdi, vil vi tilby 20-30 stk som du kan teste.
Populære tags: Power MOSFET 10N60, Kina, leverandører, produsenter, fabrikk, distributører, tilbud, inventar, Shenzhen, OEM, på lager
Sende bookingforespørsel
Du kommer kanskje også til å like
